收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > BCV62CE6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BCV62CE6327

Infineon Technologies TO-253-4,TO-253AA 3000
询价QQ:
简述:TRANSISTOR PNP DBL 30V SOT-143
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BCV62CE6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BCV63,215 NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA 3000 TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
BCV63B,215 NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA 3000 TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
BCV64B,215 NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA 3000 TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
BCV62C,215 NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA 3000 TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B 晶体管类型:2 PNP(双) 应用:电流镜像 电压 - 额定:30V 额定电流:...
BCV62BE6433 Infineon Technologies TO-253-4,TO-253AA TRANSISTOR PNP DOUBLE SOT-143 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
BCV62BE6327 Infineon Technologies TO-253-4,TO-253AA TRANSISTOR PNP DOUBLE SOT-143 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...

BCV62CE6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):420 @ 2mA,5V
功率 - 最大:300mW
频率 - 转换:250MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别