收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BS107ARL1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BS107ARL1G

ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 34000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BS107ARL1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BS107G ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS107P Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 2123 MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS107PSTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS107ARL1 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS107AG ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS100C0F Sharp Microelectronics 侧视图 PHOTODIODE BLUE SENS 波长:560nm 颜色 - 增强型:蓝 光谱范围:500nm ~ 600nm 二...

BS107ARL1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):250mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.4 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 25V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:通孔

最近更新

型号类别