收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BS108,126
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BS108,126

NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
参考包装数量:2000
参考包装形式:带盒(TB)

与BS108,126相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BS108G ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS108ZL1G ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 2000 MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS10-D Panduit Corp 305 BUTT SPLICE NON INS 12-10AWG ...
BS107PSTZ Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS107PSTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS107PSTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

BS108,126参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):300mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 100mA,2.8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):120pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别