收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BS170FTA
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BS170FTA

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 18000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BS170FTA相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BS170FTC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS170G ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 5949 MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS170P Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 11369 MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS170_L34Z Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS170_J35Z Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS170_D75Z Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 6000 MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

BS170FTA参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):150mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 10V
功率 - 最大值:330mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别