收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BS170RL1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BS170RL1G

ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BS170RL1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BS170RLRA ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS170RLRAG ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 10000 MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS170RLRMG ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS170PSTZ Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS170PSTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS170PSTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BS170RL1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):500mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 10V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:通孔

最近更新

型号类别