收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSP372L6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSP372L6327

Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与BSP372L6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSP373E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP373L6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA 28340 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP41,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 1000 TRANS NPN 60V 1A SOT-223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
BSP372E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP3-480-LC Thomas Research Products 42+100 SURGE PROTECTOR-480V DRIVER ...
BSP3-480 Thomas Research Products 7 SURGE PROTECTOR-480V DRIVER ...

BSP372L6327参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):310 毫欧 @ 1.7A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):520pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别