收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK9Y30-75B,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK9Y30-75B,115

NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BUK9Y30-75B,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK9Y38-100E,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V LFPAK ...
BUK9Y3R0-40E,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V LFPAK ...
BUK9Y40-55B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 3842 MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9Y29-40E,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V LFPAK ...
BUK9Y27-40B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 3000 MOSFET N-CH 40V 34A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9Y25-80E,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 80V LFPAK ...

BUK9Y30-75B,115参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):34A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2070pF @ 25V
功率 - 最大值:85W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别