收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > CSD16325Q5C
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

CSD16325Q5C

Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 7500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与CSD16325Q5C相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CSD16327Q3 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 4685 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD16340Q3 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD16342Q5A Texas Instruments 8-PowerTDFN 5000+122500 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD16325Q5 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 3044 MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD16323Q3C Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD16323Q3 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 15000 MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

CSD16325Q5C参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 30A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4000pF @ 12.5V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别