收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > CSD17305Q5A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

CSD17305Q5A

Texas Instruments 8-PowerTDFN
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与CSD17305Q5A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CSD17306Q5A Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD17307Q5A Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 73A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD17308Q3 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 9 MOSFET N-CH 30V 47A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD17304Q3 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 2500 MOSFET N-CH 30V 56A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CSD17303Q5 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 2500 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
CSD17302Q5A Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 87A 8SON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

CSD17305Q5A参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 30A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2600pF @ 15V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别