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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > DDA114TK-7-F
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DDA114TK-7-F

Diodes Inc SOT-23-6
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简述:TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT-26
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DDA114TK-7-F相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DDA114TU-7 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
DDA114TU-7-F Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000 TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
DDA114YH-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
DDA114TH-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
DDA114EU-7-F Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000 TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
DDA114EU-7 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

DDA114TK-7-F参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

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