| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMC3025LSD-13 |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 30V 8SO 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMC3028LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| DMC3035LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC3036LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET COMPL PAIR 2500MW 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC3021LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... |
| DMC3021LK4-13 | Diodes Inc | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 5000 | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| DMC3018LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
