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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > DMG214010R
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DMG214010R

Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-23-6
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简述:TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMG214010R相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMG2301U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG2302U-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG2307L-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000 MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG204B10R Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-23-6 3000 TRANS ARR NPN/PNP 20V/50V MINI6 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA,10...
DMG204B00R Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-23-6 3000 TRANS ARR NPN/PNP 50V/10V MINI6 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA,50...
DMG204A00R Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-23-6 TRANS ARR NPN/PNP 20V/10V MINI6 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压...

DMG214010R参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:1 PNP 预偏压式,1 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):-
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):4.7k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 5mA,10V / 210 @ 2mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA,100µA
频率 - 转换:150MHz
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

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