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DMG4468LFG

Diodes Inc 8-UDFN 裸露焊盘 3000
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简述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMG4468LFG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMG4468LK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG4496SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12500 MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG4511SK4-13 Diodes Inc TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 7500 MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
DMG4466SSSL-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG4466SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG4435SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMG4468LFG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.62A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 11.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18.85nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):867pF @ 10V
功率 - 最大值:990mW
安装类型:表面贴装

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