收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > DMG904010R
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMG904010R

Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-563,SOT-666
询价QQ:
简述:TRAN NPN/PNP 50V 100MA SSMINI6
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMG904010R相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMG963010R Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-665 TRANS ARRAY NPN/PNP RES SSMINI5 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
DMG963020R Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-665 TRANS ARR NPN/PNP W/RES SSMINI5 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
DMG963030R Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-665 TRANS ARRAY NPN/PNP RES SSMINI5 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
DMG8880LSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 1549 MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG8880LK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG8822UTS-13 Diodes Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 6288 MOSFET ARRAY 20V 4.9A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

DMG904010R参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):100µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):210 @ 2mA,10V
功率 - 最大:125mW
频率 - 转换:150MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别