| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
DMN2009LSS-13 |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN2013UFDE-7 | Diodes Inc | 6-UDFN | 3000 | MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2015UFDE-7 | Diodes Inc | 6-UDFN | 5960 | MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6E | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2016LFG-7 | Diodes Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET N CH DUAL 20V 5.2A | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMN2005LPK-7 | Diodes Inc | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN2005LP4K-7 | Diodes Inc | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN2005K-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
