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DMN2016UTS-13

Diodes Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 5000
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简述:MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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DMN2016UTS-13参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8.58A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:16.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1495pF @ 10V
功率 - 最大:880mW
安装类型:表面贴装

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