| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN2075U-7 |
Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 81766 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN2075UDW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2100UDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 3000 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2104L-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN2065UW-7 | Diodes Inc | SC-70，SOT-323 | 8426 | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2050L-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN2041LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
