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DMP2066UFDE-7

Diodes Inc 6-UDFN 裸露焊盘 5980
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简述:MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E
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与DMP2066UFDE-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMP2069UFY4-7 Diodes Inc 3-XFDFN 4435 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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DMP2066LSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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DMP2066LSD-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

DMP2066UFDE-7参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 4.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1537pF @ 10V
功率 - 最大值:660mW
安装类型:表面贴装

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