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DMP21D5UFD-7

Diodes Inc *
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简述:MOSFET P-CH 20V DFN1212-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:*

与DMP21D5UFD-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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DMP21D5UFD-7参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):600mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):800nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):46.1pF @ 10V
功率 - 最大值:400mW
安装类型:*

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