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ESM2012DV

STMicroelectronics ISOTOP
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简述:IC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与ESM2012DV相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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ESM2012DV参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):120A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):120V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 1A,100A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1200 @ 100A,5V
功率 - 最大:175W
频率 - 转换:-
安装类型:底座安装

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