收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FCH47N60NF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FCH47N60NF

Fairchild Semiconductor TO-247-3 209+300
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247
参考包装数量:150
参考包装形式:管件

与FCH47N60NF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FCH76N60N Fairchild Semiconductor TO-247-3 211+600 MOSFET N-CH 600V 76A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCH76N60NF Fairchild Semiconductor TO-247-3 266+450 MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCI11N60 Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCH47N60N Fairchild Semiconductor TO-247-3 84 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCH47N60F_F133 Fairchild Semiconductor TO-247-3 360+2700 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCH47N60F Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FCH47N60NF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):45.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 23.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):157nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6120pF @ 100V
功率 - 最大值:368W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别