收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FCP11N60
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FCP11N60

Fairchild Semiconductor TO-220-3 1380
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FCP11N60相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FCP11N60F Fairchild Semiconductor TO-220-3 500+1000 MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP11N60N Fairchild Semiconductor TO-220-3 123+800 MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP1206C123G Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206(3216 公制) CAP FILM 0.012UF 16VDC 1206 电容:0.012µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC...
FCP0805H821J-J1 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805(2012 公制) CAP FILM 820PF 50VDC 0805 电容:820pF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:50V 电介质...
FCP0805H821J Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805(2012 公制) CAP FILM 820PF 50VDC 0805 电容:820pF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:50V 电介质...
FCP0805H821G-J1 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805(2012 公制) CAP FILM 820PF 50VDC 0805 电容:820pF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:50V 电介质...

FCP11N60参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1490pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别