收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FCP13N60N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FCP13N60N

Fairchild Semiconductor TO-220-3 400+400
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
参考包装数量:400
参考包装形式:管件

与FCP13N60N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FCP16N60 Fairchild Semiconductor TO-220-3 1537 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP16N60N Fairchild Semiconductor TO-220-3 285+400 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP190N60 Fairchild Semiconductor TO-220-3 0+8000 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP1210H393J-G3 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1210(3225 公制) 0+54000 CAP FILM 0.039UF 50VDC 1210 电容:0.039µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC...
FCP1210H393J Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1210(3225 公制) 0+500 CAP FILM 0.039UF 50VDC 1210 电容:0.039µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC...
FCP1210H393G-G3 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1210(3225 公制) CAP FILM 0.039UF 50VDC 1210 电容:0.039µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC...

FCP13N60N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):258 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1765pF @ 100V
功率 - 最大值:116W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别