收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FCP20N60_F080
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FCP20N60_F080

Fairchild Semiconductor TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FCP20N60_F080相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FCP20N60FS Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 600V TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP21N60N Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 600V TO220-3 FET 类型:* FET 功能:* 漏源极电压 (Vdss):* 电流 - 连续...
FCP22N60N Fairchild Semiconductor TO-220-3 1826 MOSFET N-CH 600V 22A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP20N60 Fairchild Semiconductor TO-220-3 2080+4000 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP1913H823J-E4 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913(4833 公制) CAP FILM 0.082UF 50VDC 1913 电容:0.082µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC...
FCP1913H823J Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913(4833 公制) CAP FILM 0.082UF 50VDC 1913 电容:0.082µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC...

FCP20N60_F080参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):98nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3080pF @ 25V
功率 - 最大值:208W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别