收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FCP7N60_F080
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FCP7N60_F080

Fairchild Semiconductor TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FCP7N60_F080相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FCP9N60N Fairchild Semiconductor TO-220-3 853+2000 MOSFET N-CH 600V 9A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCPF11N60 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 854 MOSFET N-CH 600V 11A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCPF11N60F Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP7N60 Fairchild Semiconductor TO-220-3 921 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP600-48G Power-One FRONT END 600W 48V ...
FCP4N60 Fairchild Semiconductor TO-220-3 3158 MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FCP7N60_F080参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):920pF @ 25V
功率 - 最大值:83W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别