收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDB035N10A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDB035N10A

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDB035N10A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDB039N06 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB045AN08A0 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 7795 MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB045AN08A0_F085 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800+1600 MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDB035AN06A0 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 8000+167200 MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDB031N08 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 6400+32000 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB029N06 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDB035N10A参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):116nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7295pF @ 25V
功率 - 最大值:333W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别