收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDB24AN06LA0
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDB24AN06LA0

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDB24AN06LA0相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDB2532 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 7023 MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB2532_F085 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+800 MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB2552 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800+800 MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB20AN06A0 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB16AN08A0 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB15N50 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2400+2400 MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDB24AN06LA0参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1850pF @ 25V
功率 - 最大值:75W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别