收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDB3652_F085
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDB3652_F085

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDB3652_F085相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDB3672 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB3672_F085 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB3682 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800+3200 MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB3652 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB3632 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 9600+9600 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB3502 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1638+2400 MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDB3652_F085参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):61A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 61A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2880pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别