收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDMS7608S
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDMS7608S

Fairchild Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMS7608S相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMS7620S Fairchild Semiconductor 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMS7650 Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS7650DC Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN 9000 MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS7602S Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 3000 MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMS7600AS Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 3000 MOSFET 2N-CH 30V POWER56 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMS7580 Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 4804 MOSFET N-CH 25V 15A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDMS7608S参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A,15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1510pF @ 15V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别