收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDS4897C
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS4897C

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 17500
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDS4897C相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS4935 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS4935A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS4935BZ Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 9266 IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS4897AC Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDS4895C Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N P-CH 40V 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):4...
FDS4885C Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH DUAL 40V 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):4...

FDS4897C参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.2A,4.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:29 毫欧 @ 6.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:760pF @ 20V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别