收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > FMG1G75US60H
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FMG1G75US60H

Fairchild Semiconductor 7PM-GA
询价QQ:
简述:IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA
参考包装数量:15
参考包装形式:

与FMG1G75US60H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FMG1G75US60L Fairchild Semiconductor 7PM-GA IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2AT148 Rohm Semiconductor SC-74A,SOT-753 12000 TRANS DUAL NPN 50V 30MA SMT5 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
FMG2G100US60 Fairchild Semiconductor 7PM-GA IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG1G50US60L Fairchild Semiconductor 7PM-GA IGBT MOLDING 600V 50A 7PM-GA IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG1G50US60H Fairchild Semiconductor 7PM-GA IGBT MOLDING 600V 50A 7PM-GA IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG1G100US60L Fairchild Semiconductor 7PM-GA IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...

FMG1G75US60H参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.8V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):75A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):7.056nF @ 30V
功率 - 最大:310W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别