收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > FMG2G50US120
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FMG2G50US120

Fairchild Semiconductor 7PM-GA
询价QQ:
简述:IGBT POWER MOD 1200V 50A 7PM-GA
参考包装数量:15
参考包装形式:

与FMG2G50US120相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FMG2G50US60 Fairchild Semiconductor 7PM-GA IGBT MOLDING 600V 50A 7PM-GA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2G75US120 Fairchild Semiconductor 7PM-GA IGBT POWER MOD 1200V 75A 7PM-GA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V ...
FMG2G75US60 Fairchild Semiconductor 7PM-GA IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2G400US60 Fairchild Semiconductor 7PM-IA IGBT MOLDING 600V 400A 7PM-IA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2G400LS60 Fairchild Semiconductor 7PM-IA IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-IA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2G300US60E Fairchild Semiconductor 7PM-HA IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-HA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...

FMG2G50US120参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
电流 - 集电极截止(最大):3mA
Vce 时的输入电容 (Cies):-
功率 - 最大:320W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别