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FW349-TL-E

SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
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简述:MOSFET N/P-CH 45V 5/4.5A 8-SOP
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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FW349-TL-E参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):45V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A,4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:37 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:18.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:860pF @ 20V
功率 - 最大:1.8W
安装类型:表面贴装

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