收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 单二极管/齐纳 > GDZT2R6.8
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

GDZT2R6.8

Rohm Semiconductor GMD2 8000
询价QQ:
简述:DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与GDZT2R6.8相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
GDZT2R7.5 Rohm Semiconductor GMD2 8000 DIODE ZENER 7.5V 100MW GMD2 电压 - 齐纳(标称)(Vz):7.5V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
GDZT2R8.2 Rohm Semiconductor GMD2 8000 DIODE ZENER 8.2V 100MW GMD2 电压 - 齐纳(标称)(Vz):8.2V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
GE101K Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,圆盘 CAP CER 100PF 50V 10% RADIAL 电容:100pF 电压 - 额定:50V 容差:±10% 温度系数...
GDZT2R6.2 Rohm Semiconductor GMD2 26796 DIODE ZENER 6.2V 100MW GMD2 电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.2V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
GDZT2R5.6 Rohm Semiconductor GMD2 16000 DIODE ZENER 5.6V 100MW GMD2 电压 - 齐纳(标称)(Vz):5.6V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
GDZT2R5.1 Rohm Semiconductor GMD2 8000 DIODE ZENER 5.1V 100MW GMD2 电压 - 齐纳(标称)(Vz):5.1V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...

GDZT2R6.8参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.8V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):-
电流 - 在 Vr 时反向漏电:500nA @ 3.5V
容差:±5%
功率 - 最大:100mW
阻抗(最大)(Zzt):-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别