收藏本站

首页 > 电路保护 > TVS - 二极管 > GSOT05C-HT3-GS08
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

GSOT05C-HT3-GS08

Vishay Semiconductors 3-WDFN
询价QQ:
简述:DIODE ESD 2LINE 5V LLP75-3B
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与GSOT05C-HT3-GS08相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
GSOT05-GS08 Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 123000 DIODE ESD 1LINE 5V SOT23 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿:6V 功率 (W):480W...
GSOT05-HT3-GS08 Vishay Semiconductors 3-WDFN DIODE ESD 1LINE 5V LLP75-3B 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿:6V 功率 (W):480W...
GSOT08C-GS08 Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 39000 DIODE ESD 2LINE 8V SOT23 电压 - 反向关态(典型值):8V 电压 - 击穿:9V 功率 (W):345W...
GSOT05C-GS08 Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 141000 DIODE ESD 2LINE 5V SOT23 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿:6V 功率 (W):480W...
GSOT04-HT3-GS08 Vishay Semiconductors 3-WDFN DIODE ESD 1LINE 4V LLP75-3B 电压 - 反向关态(典型值):4V 电压 - 击穿:5V 功率 (W):429W...
GSOT04-GS08 Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000 DIODE ESD 1LINE 4V SOT23 电压 - 反向关态(典型值):4V 电压 - 击穿:5V 功率 (W):429W...

GSOT05C-HT3-GS08参数资料

PDF资料下载:

电压 - 反向关态(典型值):5V
电压 - 击穿:6V
功率 (W):480W
极化:2 通道阵列 - 单向
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别