收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPA057N06N3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPA057N06N3G

Infineon Technologies TO-220-3 整包 630
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPA057N06N3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPA057N08N3G Infineon Technologies TO-220-3 整包 498 MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA075N15N3G Infineon Technologies TO-220-3 整包 124 MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA086N10N3G Infineon Technologies TO-220-3 整包 480 MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPA045N10N3G Infineon Technologies TO-220-3 整包 476 MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPA037N08N3G Infineon Technologies TO-220-3 整包 465 MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA032N06N3G Infineon Technologies TO-220-3 整包 482 MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPA057N06N3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 58µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):82nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6600pF @ 30V
功率 - 最大值:38W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别