收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPA60R600CP
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPA60R600CP

Infineon Technologies TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPA60R600CP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPA60R600E6 Infineon Technologies TO-220-3 整包 420 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R750E6 Infineon Technologies TO-220-3 整包 391 MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R950C6 Infineon Technologies TO-220-3 整包 1174 MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R600C6 Infineon Technologies TO-220-3 整包 450 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R520E6 Infineon Technologies TO-220-3 整包 826 MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R520CP Infineon Technologies TO-220-3 整包 490 MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPA60R600CP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 220µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):550pF @ 100V
功率 - 最大值:28W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别