收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPB019N06L3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPB019N06L3G

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IPB019N06L3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPB020N04NG Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 1000 MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB020NE7N3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB021N06N3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB017N06N3G Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 3034 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB016N06L3G Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB015N04NG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 5000 MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPB019N06L3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 196µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):166nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):28000pF @ 30V
功率 - 最大值:250W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别