收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPB025N08N3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPB025N08N3G

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IPB025N08N3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPB025N10N3G Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 5220 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB026N06N Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSF N CH 60V 25A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB027N10N3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB023N06N3G Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB023N04NG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB022N04LG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPB025N08N3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):206nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14200pF @ 40V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别