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IPB038N12N3G

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 3000
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简述:MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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IPB038N12N3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):120V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):211nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13800pF @ 60V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

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