收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPB100N06S3-03
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPB100N06S3-03

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IPB100N06S3-03相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPB100N06S3-04 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 289 MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB100N06S3L-03 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB100N06S3L-04 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB100N06S2L-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB100N06S2-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB100N04S4-H2 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPB100N06S3-03参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 230µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):480nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):21620pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别