| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB60R125C6 |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 30A TO263 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPB60R125CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 25A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB60R160C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB60R165CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB60R099CPA | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R099CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 5000 | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB60R099C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
