| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB65R110CFD |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPB65R190C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB65R190CFD | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB65R280C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB60R950C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB60R600CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB60R600C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
