收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPD12CNE8NG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPD12CNE8NG

Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与IPD12CNE8NG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPD12N03LBG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 30A TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPD135N03LG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSF N CH 30V 30A PG-TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPD135N03LG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPD12CN10NG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPD127N06LG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPD1-25-D Samtec Inc CONN HOUSING 50 POS 2.54MM ST ...

IPD12CNE8NG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):85V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):67A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.4 毫欧 @ 67A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4340pF @ 40V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别