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IPW50R190CE

Infineon Technologies TO-247-3 230
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简述:MOSF N CH 500V 18.5A PG-TO247
参考包装数量:240
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IPW50R190CE参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 6.2A, 13V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 510µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1137pF @ 100V
功率 - 最大值:127W
安装类型:通孔

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