收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRC540PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRC540PBF

Vishay Siliconix TO-220-5
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 28A TO-220-5
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRC540PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRC630PBF Vishay Siliconix TO-220-5 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...
IRC634PBF Vishay Siliconix TO-220-5 MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...
IRC640PBF Vishay Siliconix TO-220-5 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...
IRC530PBF Vishay Siliconix TO-220-5 MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...
IRAUTOHBR1 International Rectifier - IC CIRCUIT BRDG 6A 35V W/IR3220S 应用:- 评估套件:- 输出数:- 电流 - 输出:- 电压 - 负载:- 电源...
IRAUDPS1 International Rectifier 2 IC MOSFET DRIVER ...

IRC540PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:电流感测
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):28A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):77 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):69nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别