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IRF7526D1TR

International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
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简述:MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IRF7526D1TR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):180pF @ 25V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装

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