收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXFN140N20P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFN140N20P

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 407
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXFN140N20P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFN140N25T IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN140N30P IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN150N10 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN132N50P3 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 68 MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN130N30 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 52 MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN120N25 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

IXFN140N20P参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:115A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18 毫欧 @ 70A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7500pF @ 25V
功率 - 最大:680W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别