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IXFN32N120P

IXYS SOT-227-4,miniBLOC
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简述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXFN32N120P参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:310 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:360nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:21000pF @ 25V
功率 - 最大:1000W
安装类型:底座安装

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