收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXFN64N50P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFN64N50P

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 150
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXFN64N50P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFN64N50PD2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN64N60P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 2 MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN66N50Q2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN62N80Q3 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 28 MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN60N80P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 7 MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN60N60 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 75 MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

IXFN64N50P参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:61A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:85 毫欧 @ 32A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:8700pF @ 25V
功率 - 最大:700W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别